覗き穴LSTMとは? わかりやすく解説

覗き穴LSTM

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/06/08 07:20 UTC 版)

長・短期記憶」の記事における「覗き穴LSTM」の解説

入力( i {\displaystyle i} )、出力( o {\displaystyle o} )、および忘却( f {\displaystyle f} )ゲートを持つ覗き穴LSTMユニット。これらのゲートそれぞれは順伝播型(または多層ニューラルネットワークにおける「標準的」なニューロンとして考えることができる。すなわち、それらは(活性化関数用いて加重和の活性化計算する。 i t {\displaystyle i_{t}} 、 o t {\displaystyle o_{t}} および f t {\displaystyle f_{t}} はそれぞれ時間ステップ t {\displaystyle t} における入力出力、および忘却ゲート活性化表わす記憶セル c {\displaystyle c} から3つのゲート i {\displaystyle i} 、 o {\displaystyle o} 、および f {\displaystyle f} へ出ていく3本の矢印は「覗き穴結合表わす。これらの覗き穴結合実際に時間ステップ t − 1 {\displaystyle t-1} における記憶セル c {\displaystyle c} の活性化寄与(すなわち、図が示唆するように、 c t {\displaystyle c_{t}} ではなく c t − 1 {\displaystyle c_{t-1}} の寄与)を示す。言い換えればゲート i {\displaystyle i} 、 o {\displaystyle o} 、および f {\displaystyle f} は時間ステップ t {\displaystyle t} におけるそれらの活性化(すなわち i t {\displaystyle i_{t}} 、 o t {\displaystyle o_{t}} および f t {\displaystyle f_{t}} )を計算し時間ステップ t − 1 {\displaystyle t-1} における記憶セル c {\displaystyle c} の活性化(すなわち c t − 1 {\displaystyle c_{t-1}} )も考慮する記憶セルから出る単一の左から右への矢印覗き穴結合ではなくc t {\displaystyle c_{t}} を示す。 × {\displaystyle \times } 記号を含む小さな丸は出力間の要素毎の乗算表わす。Sのような曲線を含む大きな丸は加重和への(シグモイド関数のような微分可能な関数適用表わすLSTMには他にも多く種類存在する右図覗き穴結合を持つLSTMユニット(すなわち覗き穴LSTM)の図式的な表現である。覗き穴結合によって、ゲートが定誤差カルーセルCEC。その活性化セル状態である)へアクセスすることが可能となる。 h t − 1 {\displaystyle h_{t-1}} は使われず、ほんどの場所で c t − 1 {\displaystyle c_{t-1}} が代わりに使われるf t = σ g ( W f x t + U f c t − 1 + b f ) i t = σ g ( W i x t + U i c t − 1 + b i ) o t = σ g ( W o x t + U o c t − 1 + b o ) c t = f t ∘ c t − 1 + i t ∘ σ c ( W c x t + U c c t − 1 + b c ) h t = o t ∘ σ h ( c t ) {\displaystyle {\begin{aligned}f_{t}&=\sigma _{g}(W_{f}x_{t}+U_{f}c_{t-1}+b_{f})\\i_{t}&=\sigma _{g}(W_{i}x_{t}+U_{i}c_{t-1}+b_{i})\\o_{t}&=\sigma _{g}(W_{o}x_{t}+U_{o}c_{t-1}+b_{o})\\c_{t}&=f_{t}\circ c_{t-1}+i_{t}\circ \sigma _{c}(W_{c}x_{t}+U_{c}c_{t-1}+b_{c})\\h_{t}&=o_{t}\circ \sigma _{h}(c_{t})\end{aligned}}}

※この「覗き穴LSTM」の解説は、「長・短期記憶」の解説の一部です。
「覗き穴LSTM」を含む「長・短期記憶」の記事については、「長・短期記憶」の概要を参照ください。

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