強結合と弱結合とは? わかりやすく解説

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強結合と弱結合

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2020/06/21 06:28 UTC 版)

ダストプラズマ」の記事における「強結合と弱結合」の解説

一般にある粒子系で、隣り合う粒子間の相互作用エネルギー平均して熱運動エネルギーよりも大き場合を強結合小さ場合を弱結合という。通常のプラズマは弱結合である。それに対しダストプラズマではダスト微粒子荷電 Q が大きいために微粒子系に着目すると、それは容易に結合になる。 粒子系での平均粒子間距離 a {\displaystyle a} は a = ( 3 / 4 π n ) 1 / 3 {\displaystyle a=(3/4\pi n)^{1/3}} (n は粒子密度)で与えられ、しばしばウィグナー・サイツ半径呼ばれる。ここで荷電 q をもつ粒子の系を考えると、平均距離 a {\displaystyle a} にある2粒子間のクーロン・ポテンシャルエネルギー ϕ = q 2 / 4 π ϵ 0 a {\displaystyle \phi =q^{2}/4\pi \epsilon _{0}a} が問題になる。そして このポテンシャルエネルギー粒子熱運動エネルギー kBT との比 Γ = q 2 4 π ϵ 0 a k B T {\displaystyle \Gamma ={\frac {q^{2}}{4\pi \epsilon _{0}ak_{B}T}}} はクーロン結合パラメタ呼ばれ熱運動比べて粒子相互作用がどれだけ強いかを表す。Γ ≪1 ならば弱結合で、粒子はばらばらに熱運動する。一方 、Γ ≥ {\displaystyle \geq } 1 ならば強結合で、粒子相互作用が勝るので、粒子系は秩序だった行動をとりやすい。通常のプラズマ電子イオンの系は弱結合である。 一方ダスト微粒子は非常に大きな電荷 Q を持つので、微粒子平均距離 a d {\displaystyle a_{d}} にある微粒子間のクーロンポテンシャル ϕ d = Q 2 / 4 π ϵ 0 a d {\displaystyle \phi _{d}=Q^{2}/4\pi \epsilon _{0}a_{d}} も非常に大きくなり得る。ただし今は a d ≪ λ D {\displaystyle a_{d}\ll \lambda _{D}} (λD は周囲プラズマデバイの長さ)が必ずしも保証されないので、周りプラズマにより電場遮蔽され(デバイ遮蔽)、ポテンシャル小さくなる影響考え入れ必要がある。そこでダストプラズマ中の微粒子系では上記の Γ の役割を Γ d ∗ = Q 2 4 π ϵ 0 a d k B T d exp ⁡ ( − a d / λ D ) {\displaystyle \Gamma _{d}^{*}={\frac {Q^{2}}{4\pi \epsilon _{0}a_{d}k_{B}T_{d}}}\exp {(-a_{d}/\lambda _{D})}} が受け持つ。ただし、Td微粒子系の温度である。かくしてダスト微粒子系は Γd* ≪ 1 ならば弱結合、 ≥ {\displaystyle \geq } 1 ならば強結合になる。宇宙でみつかるダストプラズマごく一部がΓd*~ 1 で強結合とみなせる他は、ほとんどすべて Γd*≪1 で、弱結合である。

※この「強結合と弱結合」の解説は、「ダストプラズマ」の解説の一部です。
「強結合と弱結合」を含む「ダストプラズマ」の記事については、「ダストプラズマ」の概要を参照ください。

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