半定量的な特徴付け
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/06/05 10:03 UTC 版)
元素イオン化エネルギー電気陰性度バンド構造B 191 2.04 半導体 Si 187 1.90 半導体 Ge 182 2.01 半導体 As 225 2.18 半金属 Sb 198 2.05 半金属 Te 207 2.10 半導体 平均 198 2.05 一般的な半金属と、それらのイオン化エネルギー (kcal/mol)、ポーリングの電気陰性度（オールレッドの改定値）およびバンド構造（周囲の状況が最も熱力学的に安定した状態での値）の表。 マスタートンとスロウィンスキは、半金属のイオン化エネルギーは200 kJ/mol周辺、電気陰性度は2.0周辺に集まっておりそれらは一般的に半導体であるが、（バンド理論における半金属である）アンチモンとヒ素は、金属のそれに近似した電気伝導度を有していると記述した。彼らの示す半金属の3つの特性は、右表のように6つの一般的な半金属に対して当てはまる。セレンおよびポロニウムはおそらくこの表からは排除され、アスタチンは含まれない。 他の定量的な特徴として空間充填率があり、一般的な半金属は34から41の間の空間充填率を示す。各半金属の空間充填率は、ホウ素：38 %、ケイ素およびゲルマニウム：34 %、ヒ素：38.5 %、アンチモン：41 %、テルル：36.4 %である。これらの値は、大部分の金属の空間充填率が通常80%以上であり少なくとも68 %よりも高いことと比較して低い。しかし、非金属と分類される黒鉛の17 %や硫黄の19.2 %、ヨウ素の23.9 %、黒リンの28.5 %よりは高く、しばしば半金属として分類されるセレンも28.5 %である。 一般的な半金属は、0.85から1.1、平均1.0のゴールドハマー・ハーツフェルド基準を有している。
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