プロセスステップとは? わかりやすく解説

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プロセスステップ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/09/14 14:40 UTC 版)

自己整合ゲート」の記事における「プロセスステップ」の解説

以下は、自己整合ゲート作るステップである。 これらのステップフェデリコ・ファジンによって最初に作られ最初商業用集積回路Fairchild 3708の製造のために1968年フェアチャイルドセミコンダクター発展したシリコンゲート技術プロセス用いられた。 1. トランジスタ形成される所で電界酸化物上のウェルエッチングされる。エッチングによりMOSトランジスタソース/ドレイン領域ゲート領域定義される。 2. ドライ熱酸化プロセス使ってシリコンウェハ上にゲート酸化物(SiO2)の層(5-200 nm)を成長させる。 3. 化学気相堆積(CVD)プロセス使ってゲート酸化物トップポリシリコン層を成長させる。 4. ポリシリコントップフォトレジスト層を塗布する。 5. フォトレジストトップマスクを置き、UV光晒すマスク保護していない領域では、フォトレジスト層が壊される。 6. フォトレジスト特殊な現像液晒すUV光によって壊されフォトレジスト除去される。 7. フォトレジスト保護されていないポリシリコンゲート酸化物を、緩衝化したイオンエッチングプロセスで除去する。これは通常フッ化水素酸を含む酸溶液である。 8. フォトレジスト残りシリコンウェハーからはがし取る。この段階では、ゲート酸化物上と電界酸化物上にポリシリコンがあるウェハー存在する。 9. 薄い酸化物エッチング除去し、ポリシリコンゲートによって保護されているゲート領域除いてトランジスタソース/ドレイン領域晒す。 10. 通常のドーピングプロセスまたはイオン注入呼ばれるプロセス使ってソース/ドレインポリシリコンドープする。シリコンゲートの下の薄い酸化物はドーピングプロセスのマスクとして作用する。これはゲート自己整合(セルフアライメント)するステップである。ソースドレイン領域は(すでに位置している)ゲート自動的に正しくアライン(位置合わせ)されている。 11. ウェハー高温炉(>800 °C または 1,500 °F)でアニールする。これはドーパント結晶構造へさらに拡散しせ、ソース/ドレイン領域作りゲートわずかに下へドーパント拡散させる。 12. 晒され領域保護するためにプロセス二酸化ケイ素気相堆積続けプロセス完了するたみの残り全てのステップ続ける。

※この「プロセスステップ」の解説は、「自己整合ゲート」の解説の一部です。
「プロセスステップ」を含む「自己整合ゲート」の記事については、「自己整合ゲート」の概要を参照ください。

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