技術、製品、サービス
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/08/01 19:30 UTC 版)
「台湾積体電路製造」の記事における「技術、製品、サービス」の解説
7nmプラス（N7+） によって、TSMCは、半導体業界で EUV（極端紫外線）技術を商用化した、初のファウンドリとなっている。 紫外線パターンを用いてシリコン上に微細な回路を実現し、従来の技術に比べトランジスタ密度を15%〜20%向上させ、消費電力を10%低減している。N5プロセスは、トランジスタ密度を2倍、性能をさらに15%向上させた。 TSMCは、現在300mmウェハを用いて以下のプロセスを生産している。 0.13 μm (用途: 汎用 (G), 低消費電力 (LP),ハイパフォーマンス低電圧 (LV)) 1215 90 nm (2006年第四四半期からの80GCに基づく) 65 nm (用途: 汎用 (GP), 低消費電力 (LP), 超低消費電力 (ULP), LPG) 55 nm (用途: 汎用 (GP), 低消費電力 (LP)) 40 nm (用途: 汎用 (GP), 低消費電力 (LP), 超低消費電力 (ULP)) 28 nm (用途: ハイパフォーマンス (HP), ハイパフォーマンスモバイル (HPM), ハイパフォーマンスコンピューティング (HPC), ハイパフォーマンス低消費電力 (HPL), 低消費電力 (LP), ハイパフォーマンスコンピューティングプラス (HPC+), HKMGを使用した超低消費電力 (ULP) 22 nm (用途: 超低消費電力 (ULP), 超低リーク (ULL)) 20 nm 16 nm (用途: FinFET (FF), FinFET Plus (FF+), FinFET Compact (FFC)) 12 nm (用途: FinFET Compact (FFC), FinFET, NVIDIA (FFN)), 16 nm プロセスの拡張版 10 nm (用途: FinFET (FF)) 7 nm (用途: FinFET (FF), FinFET Plus (FF+), FinFET Pro (FFP), ハイパフォーマンスコンピューティング (HPC)) 6 nm (用途: FinFET (FF)), 2020年第一四半期よりリスク生産開始, 7 nmプロセスの拡張版) 5 nm (用途: FinFET (FF)) また、TSMCでは、より高い性能と精度を、高いコスト効率で提供することを目的としたDFM（Design For Manufacturing）を提供している。
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