二次イオン化
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/04/20 06:28 UTC 版)
二次イオン質量分析法（SIMS）を使用して、集束一次イオンビームで試料の表面をスパッタリングし、放出された二次イオンを収集および分析することにより、固体表面および薄膜の組成を分析できる。これらの二次イオンの質量/電荷比を質量分析計で測定して、表面の元素、同位体、または分子組成を1〜2ナノメートルの深さまで決定できる。 液体金属イオン源（LMIS）では、金属（通常ガリウム）が液体状態に加熱され、毛細管または針の端に提供される。次に、強い電場をかけるとテイラーコーンが形成される。コーンの先端が鋭くなると、電界蒸発によってイオンが生成されるまで、電界が強くなる。これらのイオン源は、特にイオン注入または集束イオンビーム機器で使用される。
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