ArFエキシマレーザリソグラフィ用新規レジスト材料とは? わかりやすく解説

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ArFエキシマレーザリソグラフィ用新規レジスト材料

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2018/02/28 09:42 UTC 版)

武智敏」の記事における「ArFエキシマレーザリソグラフィ用新規レジスト材料」の解説

LSIは、リソグラフィ技術用い回路パターンウェハー上のレジスト焼き付けて作られる。しかし、100nm(0.1µm)以下の微細回路パターンLSI製造には、従来レジストではArF光の吸収力が強いため、回路パターン焼き付けることができなかった。そのためArF光で使えるレジストがなく、LSI製造における大きな課題となっていた。 武智は、炭素環状になった脂環構造である「アダマンチル基」がArF光に透明で、かつレジスト適した材料であることを世界で初め見出した。「アダマンチル基」の強い疎水性起因する課題解決するため、「脱離アダマンチル基」と「高親水性ラクトン基」を開発しArF光に対応した高性能レジスト実現した開発した技術1997年頃からレジストメーカーで工業化開始され高速・低消費電力高機能LSI製造において世界デファクト技術となった。 現在では、本技術世界標準となっており、特許引用回数極めて多い。本レジスト材料は、300億円/年以上の市場規模となり、約20兆円の半導体市場のうち、このレジスト用いて生産されるLSIは、年間10円規市場推定される

※この「ArFエキシマレーザリソグラフィ用新規レジスト材料」の解説は、「武智敏」の解説の一部です。
「ArFエキシマレーザリソグラフィ用新規レジスト材料」を含む「武智敏」の記事については、「武智敏」の概要を参照ください。

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