半絶縁性のメカニズム
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2018/01/30 14:32 UTC 版)
「半絶縁性基板」の記事における「半絶縁性のメカニズム」の解説
基板が半絶縁性を示す理由は基板中の深い準位が原因である。ヒ化ガリウムの場合、伝導帯から0.7eV付近にEL2と呼ばれる深い準位が存在し、これが高抵抗の原因となっている。この深い準位の原因は、完全に判明しているとはいえないが、一番有力な説は、構成する原子のアンチサイト欠陥である。アンチサイトは、化合物半導体で使用される構成原子の一部が、結晶中の本来の位置でなく、他の元素が入るべき位置に入ってしまう現象のことである（例：ヒ化ガリウムの場合、ガリウム原子がヒ素原子が入るべき位置に入ってしまう現象）。
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