半絶縁性のメカニズム
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2018/01/30 14:32 UTC 版)
「半絶縁性基板」の記事における「半絶縁性のメカニズム」の解説
基板が半絶縁性を示す理由は基板中の深い準位が原因である。ヒ化ガリウムの場合、伝導帯から0.7eV付近にEL2と呼ばれる深い準位が存在し、これが高抵抗の原因となっている。この深い準位の原因は、完全に判明しているとはいえないが、一番有力な説は、構成する原子のアンチサイト欠陥である。アンチサイトは、化合物半導体で使用される構成原子の一部が、結晶中の本来の位置でなく、他の元素が入るべき位置に入ってしまう現象のことである（例：ヒ化ガリウムの場合、ガリウム原子がヒ素原子が入るべき位置に入ってしまう現象）。
※この「半絶縁性のメカニズム」の解説は、「半絶縁性基板」の解説の一部です。
「半絶縁性のメカニズム」を含む「半絶縁性基板」の記事については、「半絶縁性基板」の概要を参照ください。
ウィキペディア小見出し辞書の「半絶縁性のメカニズム」の項目はプログラムで機械的に意味や本文を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。
お問い合わせ。
- 半絶縁性のメカニズムのページへのリンク
