グラフェン電界効果トランジスタ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/01/26 05:44 UTC 版)
グラフェン電界効果トランジスタ（グラフェンでんかいこうかトランジスタ、Graphene Field effect transistor, G-FET）は、グラフェンを用いた電界効果トランジスタである。
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- ^ a b “グラフェン”. 2019年1月24日閲覧。
- ^ Bolotin, Kirill I., et al. "Ultrahigh electron mobility in suspended graphene." Solid State Communications 146.9-10 (2008): 351-355.
- ^ “Graphene-based neural probes probe brain activity in high resolution”. Science X network (2017年3月27日). 2019年1月24日閲覧。
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- 1 グラフェン電界効果トランジスタとは
- 2 グラフェン電界効果トランジスタの概要
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