二ケイ化タングステン
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/09/04 06:36 UTC 版)
ナビゲーションに移動 検索に移動| 二ケイ化タングステン[1] | |
|---|---|
Tungsten disilicide | |
| 識別情報 | |
| CAS登録番号 | 12039-88-2 
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| PubChem | 16212546 |
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| 特性 | |
| 化学式 | WSi2 |
| モル質量 | 240.011 g/mol |
| 外観 | 青灰色の正方晶 |
| 密度 | 9.3 g/cm3 |
| 融点 |
2160 °C, 2433 K, 3920 °F |
| 水への溶解度 | 不溶 |
| 危険性 | |
| NFPA 704 |
 0
1
0
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| 引火点 | 不燃性 |
| 関連する物質 | |
| その他の陰イオン | 炭化タングステン 窒化タングステン |
| その他の陽イオン | 二ケイ化モリブデン |
| 特記なき場合、データは常温 (25 °C)・常圧 (100 kPa) におけるものである。 | |
化学的特性
強酸、フッ素、酸化剤、ハロゲン間化合物などの物質と激しく反応しうる。
用途
マイクロエレクトロニクスにおいて接触材料として使用され、抵抗率は60–80 μΩ cmである。1000 °Cで形成される。しばしば導電率を高め信号速度を上げるためにポリシリコン線の分流器として使用される。ケイ化タングステン層は、化学気相蒸着（例えばモノシランまたはジクロロシランをソースガスの六フッ化タングステンと用いることで）により調製することができる。堆積膜は非化学量論的であり、より導電性の高い化学量論的な形になるには焼なましが必要である。ケイ化タングステンは、以前のタングステン膜の代替物である[2]。シリコンと他の金属（例えば、タングステン）の間のバリア層としても使用される。
また、ケイ化タングステンはマイクロスケールの回路を製造するための薄膜として主に適用されるMEMSにおける使用にも価値がある。そのような目的のためには、ケイ化タングステンの膜は例えば三フッ化窒素気体を使用してプラズマエッチングすることができる。
耐酸化コーティングとしての用途に適している。特に、二ケイ化モリブデンMoSi2と同様に、二ケイ化タングステンは放射率が高いため、熱シールドと関係がある高温の放射冷却に魅力的な材料である[3]。
出典
- ^ Lide, David R. (1998), Handbook of Chemistry and Physics (87 ed.), Boca Raton, FL: CRC Press, pp. 4–91, ISBN 0-8493-0594-2
- ^ “Archived copy”. 2007年8月19日閲覧。
- ^ High emissivity coatings on fibrous ceramics for reusable space systems Corrosion Science 2019
[前の解説]
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