プラズマCVD
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出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/10/19 08:11 UTC 版)
プラズマCVD（plasma CVD, plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD）は、プラズマを援用する型式の化学気相成長(CVD)の一種である[1]。さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつである。化学反応を活性化させるため、高周波などを印加することで原料ガスをプラズマ化させるのが特徴である。半導体素子の製造などに広く用いられる。
- ^ a b c d e 図解・薄膜技術、真下正夫、畑朋延、小島勇夫、培風館、1999年、ISBN 4-563-03541-6
- ^ 多孔質カーボン電極型大気圧プラズマCVD 法の開発（大阪大学）
- ^ 大気圧マルチガス高純度プラズマを開発、平成20年、NEDO／東京工業大学
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