グラフェン電界効果トランジスタとは? わかりやすく解説

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グラフェン電界効果トランジスタ

(Graphene Field effect transistor から転送)

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2019/01/26 05:44 UTC 版)

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グラフェン電界効果トランジスタ(グラフェンでんかいこうかトランジスタ、Graphene Field effect transistor, G-FET)は、グラフェンを用いた電界効果トランジスタである。

概要

構造は通常の電界効果トランジスタと似ているがグラフェンをドレイン・ソース間に流れる電流が通過する領域(チャネル)として利用する[1]。グラフェンのキャリア移動度は室温下で従来の半導体シリコンの約100倍の200,000 cm2/Vs以上で高速で切り替えが可能[1][2]

用途

高周波スイッチング素子や増幅素子としてだけでなく、センサーの探針としての用途も想定される[3]

脚注

  1. ^ a b グラフェン”. 2019年1月24日閲覧。
  2. ^ Bolotin, Kirill I., et al. "Ultrahigh electron mobility in suspended graphene." Solid State Communications 146.9-10 (2008): 351-355.
  3. ^ Graphene-based neural probes probe brain activity in high resolution”. Science X network (2017年3月27日). 2019年1月24日閲覧。

参考文献

関連項目

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