磁気抵抗RAM (MRAM)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/12/12 23:57 UTC 版)
「不揮発性メモリ」の記事における「磁気抵抗RAM (MRAM)」の解説
詳細は「磁気抵抗メモリ」を参照 磁気抵抗RAM (MRAM) は1995年ごろから実用化研究が進んでいる不揮発性メモリで、トンネル磁気抵抗効果と呼ばれる現象を応用している。不揮発性、データ保持期間が長い、読み書きが高速、低価格など、メモリに求められる特徴を全て備えており、MRAMは有望な技術と目されている。 Everspin Technologies（フリースケール・セミコンダクタからのスピンオフ）の 4Mbit MRAM などの第一世代のMRAMは電流磁場方式の書き込みを採用していた。現在開発が進んでいる第二世代では、Crocus Technology の Thermal Assisted Switching (TAS) 方式と Crocus、ハイニックス、IBMなど複数の企業が採用している Spin Torque Transfer (STT) 方式がある。
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