室温連続動作へ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/01/04 05:09 UTC 版)
1982年、伊賀らは長さ10マイクロメートルの共振器を備えたVCSELを製作し、明確なVCSEL発振を確認した。伊賀のグループは、液相エピタキシー（LPE）を使用して6 mAしきい値GaAsデバイスを備えた埋め込み閉じ込めVCSELを作成した。大きな進歩は、1988年に伊賀と小山（同じく東京工業大学）がGaAs基板上で波長820 nmの室温で連続波（CW）動作を達成したことであろう。デバイスは有機金属化学気相成長法（MOCVD）によって成長させている。この成果により、VCSELの世界的な研究開発は加速した。また、1988年の半導体DBRのコンセプトとVCSELへの多重量子井戸の導入は、後年のVCSELの性能改善に貢献した。 VCSELの連続室温動作は、1989年にベル研究所のJack Jewellとその同僚によっても達成された。同じ頃、量子井戸の位置に共振点を一致させる概念は、Larry Coldrenとその同僚により提案され、後のしきい値の削減に貢献した。
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