外部磁場印加方式とは? わかりやすく解説

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外部磁場印加方式

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/10/11 18:56 UTC 版)

トンネル磁気抵抗効果」の記事における「外部磁場印加方式」の解説

強磁性層に外部から磁場印加されて、それぞれのスピン偏極方向変える。 平行に磁場印加する場合 双方強磁性層のスピン偏極が同方向になり、トンネル電流感じ電気抵抗低くなる。 反平行に磁場印加する場合 双方強磁性層のスピン偏極が逆方向になり、トンネル電流感じ電気抵抗高くなるこの方法をMRAM用いようとすると、消費電力性能の向上に必須である微細化伴って増大してしまう。HDDにおいては記録密度大幅に向上が期待されるまた、コイルなどの電磁誘導用いた磁気記録読み取り方式比べて大幅な素子微細化可能になる

※この「外部磁場印加方式」の解説は、「トンネル磁気抵抗効果」の解説の一部です。
「外部磁場印加方式」を含む「トンネル磁気抵抗効果」の記事については、「トンネル磁気抵抗効果」の概要を参照ください。

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