メモリセルの動作
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/11/03 03:53 UTC 版)
「Dynamic Random Access Memory」の記事における「メモリセルの動作」の解説
ワード線に電圧がかけられると、メモリセルのFETは、キャパシタとビット線との間を電気的に接続するように働く。そのため、キャパシタに電荷があれば、ワード線の電圧によって、キャパシタとビット線が接続され、キャパシタからビット線を通じて電荷が移動し、ビット線に接続されたセンスアンプによって、微弱な電位が読み取られて、論理 "1" が判別される。一方、キャパシタに電荷がなければ、ビット線にはそれ自身の寄生容量(浮遊容量)による電荷以外は現れず、センスアンプは入力として低い電位を読み取るので、論理 "0" が判別される。 キャパシタに電荷を溜める動作時でも、電荷の移動方向が逆になる他は、読み出しと同じである。論理 "1" の1ビットのデータを記憶する場合を考えると、ワード線の電圧によってFETはキャパシタとビット線を接続し、ビット線を通じて電荷がキャパシタ移動し充電される。その後、ワード線の電圧がなくなってFETでの接続が断たれても、キャパシタ内には電荷がしばらくは残るのでその間は論理 "1" の状態が保たれる。論理 "0" の1ビットのデータを記憶する場合はより単純である、記憶前には常に読み出し動作が行われるので、キャパシタ内には電荷がない状態である。ワード線の電圧によってFETはキャパシタとビット線を接続するが、論理 "0" ではビット線に加えられる電圧は低くビット線を通じたキャパシタへの電荷の移動は行われず充電されない。その後、ワード線の電圧がなくなってFETでの接続が断たれても、キャパシタ内は電荷がないままなので論理 "0" の状態となる。
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