メモリセルの動作とは? わかりやすく解説

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メモリセルの動作

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/11/03 03:53 UTC 版)

Dynamic Random Access Memory」の記事における「メモリセルの動作」の解説

ワード線に電圧かけられると、メモリセルFETは、キャパシタビット線との間を電気的に接続するように働く。そのため、キャパシタ電荷があれば、ワード線の電圧によって、キャパシタビット線が接続されキャパシタからビット線を通じて電荷移動しビット線に接続されセンスアンプによって、微弱な電位読み取られて、論理 "1" が判別される。一方キャパシタ電荷なければビット線にはそれ自身寄生容量浮遊容量)による電荷以外は現れず、センスアンプ入力として低い電位読み取るので、論理 "0" が判別される。 キャパシタ電荷溜める動作でも、電荷移動方向逆になる他は、読み出しと同じである。論理 "1" の1ビットデータ記憶する場合考えると、ワード線の電圧によってFETキャパシタビット線を接続しビット線を通じて電荷キャパシタ移動し充電されるその後ワード線の電圧なくなってFETでの接続断たれても、キャパシタ内には電荷がしばらくは残るのでその間論理 "1" の状態が保たれる論理 "0" の1ビットデータ記憶する場合はより単純である、記憶前には常に読み出し動作が行われるので、キャパシタ内には電荷がない状態である。ワード線の電圧によってFETキャパシタビット線を接続するが、論理 "0" ではビット線に加えられる電圧低くビット線を通じたキャパシタへの電荷移動行われず充電されない。その後ワード線の電圧なくなってFETでの接続断たれても、キャパシタ内は電荷がないままなので論理 "0" の状態となる。

※この「メモリセルの動作」の解説は、「Dynamic Random Access Memory」の解説の一部です。
「メモリセルの動作」を含む「Dynamic Random Access Memory」の記事については、「Dynamic Random Access Memory」の概要を参照ください。

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