エピタキシャル成長とは?

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エピタキシャル成長

別名:エピタキシ
【英】epitaxial growth

エピタキシャル成長とは、単結晶基板上に結晶方位が揃った単結晶薄膜成長させる方法のことである。透過電子顕微鏡用の試料作製などに用いられる。

エピタキシで得られる薄膜結晶は、バルク結晶比べ結晶性、純度ともに優れており、また極めて薄い結晶膜や複雑な多層結晶構造作り出せることから、特に化合物半導体分野では不可欠技術となっている。原料物質形態成長利用する原理により、気相エピタキシ液相エピタキシ分子線エピタキシなどの手法があり、これらの技術用いてエミッタ-ベース間を接合、あるいはコレクタ-ベース間を接合することによってトランジスタ作ることができる。

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エピタキシャル成長

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2011/10/09 00:15 UTC 版)

エピタキシャル成長(Epitaxial Growth)とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。基板と薄膜が同じ物質である場合をホモエピタキシャル、異なる物質である場合をヘテロエピタキシャルと呼ぶ。結晶成長の方法として分子線エピタキシー法有機金属気相成長法、液相エピタキシー法などがある。




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