d金属錯体とは? わかりやすく解説

d金属錯体

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2016/03/09 08:13 UTC 版)

電荷移動遷移」の記事における「d金属錯体」の解説

d金属錯体は外部から光などのエネルギー吸収し電子遷移起こすが、これは大きくd-d遷移CT遷移2つ分類することができる。d-d遷移錯体中心金属のd軌道電子準位配位子場によって分裂し、この準位間で遷移する過程であるのに対しCT遷移配位子から中心金属へ、あるいは中心金属から配位子へなど、異な原子間での電子移動を伴う遷移過程をさす。 配位子から中心金属への電子移動LMCT (Ligand to Metal Charge Transfer) 遷移、逆のことをMLCT (Metal to Ligand Charge Transfer) 遷移という。また、複数金属原子を持つ多核錯体などでは、原子価電荷移動 (Intervalence Charge Transfer, IVCT) 遷移観測されることがある。 d-d遷移d軌道遷移であるため、ラポルテ禁制となり吸光度は低い。一方CT遷移ラポルテ許容遷移のため、かなり吸光度大きくなるLMCT遷移配位子電子豊富なもの、すなわちベンゼン環など不飽和結合有する化合物を含む場合起きやすい。 この項目は、自然科学関連した書きかけの項目です。この項目を加筆・訂正などしてくださる協力者求めています(Portal:自然科学)。

※この「d金属錯体」の解説は、「電荷移動遷移」の解説の一部です。
「d金属錯体」を含む「電荷移動遷移」の記事については、「電荷移動遷移」の概要を参照ください。

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