エピタキシャル‐せいちょう〔‐セイチヤウ〕【エピタキシャル成長】
エピタキシャル成長
別名：エピタキシ
【英】epitaxial growth
【英】epitaxial growth
エピタキシャル成長とは、単結晶基板上に結晶方位が揃った単結晶の薄膜を成長させる方法のことである。透過電子顕微鏡用の試料作製などに用いられる。
エピタキシで得られる薄膜結晶は、バルクの結晶に比べ結晶性、純度ともに優れており、また極めて薄い結晶膜や複雑な多層の結晶構造を作り出せることから、特に化合物半導体の分野では不可欠な技術となっている。原料物質の形態、成長に利用する原理により、気相エピタキシ、液相エピタキシ、分子線エピタキシなどの手法があり、これらの技術を用いてエミッタ-ベース間を接合、あるいはコレクタ-ベース間を接合することによってトランジスタを作ることができる。
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