CMOS半導体のスイッチング速度を向上させる（高電源電圧）
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/05/16 23:46 UTC 版)
「オーバークロック」の記事における「CMOS半導体のスイッチング速度を向上させる（高電源電圧）」の解説
CMOS半導体は、加える電源電圧が高いほどスイッチング速度が向上するという特性を持つ（「カツ入れ」を参照）。この特性を利用して定格以上の高電圧を印加することで、前述のマージン以上のクロックで動作させることが可能となる。ただし、スイッチング速度の向上と引き換えに消費電力が増大し、半導体素子の温度が急上昇するので、更に強力な冷却が必要となる。また、加速劣化試験を実施しているのと変わらない状況であるので半導体の寿命が短くなる。
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CMOS半導体のスイッチング速度を向上させる（低温）
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「オーバークロック」の記事における「CMOS半導体のスイッチング速度を向上させる（低温）」の解説
同じくCMOS半導体は、低温において動作速度が速くなる。そのため、大掛かりな冷却手段を講じて定格を下回る温度に下げ、動作クロックの向上を図る。冷却手段としては、空冷、水冷、液体窒素を用いた冷却などがある。更に、ペルティエ素子による冷却も組み合わせることがある。
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