Beyond 5 nm
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/11/09 21:02 UTC 版)
「5ナノメートル」の記事における「Beyond 5 nm」の解説
3.5 nm が、beyond 5 nmの最初のノードの名前である。 2018年、IMECとケイデンスは3nmテストチップをテープアウトした。サムスンも2021年に3nmのFETを作るために全周ゲート技術を使う計画を発表した。 ムーアの法則を超えたスケーリングでチップを製造する有用または重要だと考えられている有力技術として、光渦レーザー、MOSFET-BJTデュアルモードトランジスタ、3次元集積回路（英語版）、マイクロフルイディック冷却、PCMOS（英語版）、真空チャネルトランジスタ、テラヘルツ光、極端紫外線リソグラフィ、カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ（英語版）、シリコンフォトニクス、グラフェン、フォスフォレン（英語版）、有機半導体、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素、ナノリソグラフィ、再構成可能なカオス理論に基づくマイクロチップがある。
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