特許の概要
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/03/10 05:35 UTC 版)
本特許は高輝度青色発光ダイオードの製造において結晶成長の過程で利用することができる「ツーフローMOCVD」技術に関するものである。高輝度青色発光ダイオードなどに用いるGaN(窒化ガリウム)の結晶を成長させるためには約1000℃に熱した基板にGaNの原料ガスを吹き付ける必要があるが、そのままではガスが舞い上がってしまい上手く結晶化することができない。そこで、別のガスを上から吹き付けることで、基板に原料ガス流を押しつけ、結晶成長を可能とした。ガス噴出口が2つ有るために「ツーフローMOCVD」と呼ばれる。 この発明は、1990年10月25日に特許出願され、1997年4月18日に登録された。
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