温度による反応
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2014/03/15 22:41 UTC 版)
酸化アルミニウムの結晶におけるショットキー欠陥の生成反応は次のように書ける。 但し、アルミニウムの空孔は負の電荷を帯びやすく、酸素の空孔は正の電荷を帯びやすいため、実際には次のような反応が起きる場合が多い。 酸化物の結晶における酸素原子のフレンケル欠陥の生成反応は次のように書ける。 但し、格子間の酸素原子は負の電荷を帯びやすく、酸素の空孔は正の電荷を帯びやすいため、実際には次のような反応が起きる場合が多い。 半導体における伝導電子と正孔の対生成は次のように書ける。
※この「温度による反応」の解説は、「欠陥化学」の解説の一部です。
「温度による反応」を含む「欠陥化学」の記事については、「欠陥化学」の概要を参照ください。
- 温度による反応のページへのリンク