フォノン-電子散乱とは? わかりやすく解説

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フォノン-電子散乱

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2017/05/19 14:51 UTC 版)

フォノン散乱」の記事における「フォノン-電子散乱」の解説

物質高濃度ドープされたときには、フォノン-電子散乱の寄与重要になる。 これに対応する緩和時間は次で与えられる。 1 τ p he = n e ϵ 2 ω ρ V 2 k B T π m ∗ V 2 2 k B T exp ⁡ ( − m ∗ V 2 2 k B T ) {\displaystyle {\frac {1}{\tau _{\mathrm {ph-e} }}}={\frac {n_{e}\epsilon ^{2}\omega }{\rho V^{2}k_{\mathrm {B} }T}}{\sqrt {\frac {\pi m^{*}V^{2}}{2k_{\mathrm {B} }T}}}\exp \left(-{\frac {m^{*}V^{2}}{2k_{\mathrm {B} }T}}\right)} パラメータ ne伝導電子濃度、ε は変形ポテンシャル、ρ は質量密度、m* は電子有効質量である 。 通常はフォノン-電子散乱による熱伝導への寄与無視できる仮定される

※この「フォノン-電子散乱」の解説は、「フォノン散乱」の解説の一部です。
「フォノン-電子散乱」を含む「フォノン散乱」の記事については、「フォノン散乱」の概要を参照ください。

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