ヒ化インジウムガリウム
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2018/01/18 16:54 UTC 版)
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特徴
一般的な半導体材料であるシリコンよりも電子移動度が高いので高周波デバイスとして使用される[1]。大きな単結晶を製造することが困難なため、用途は高周波デバイスなど、一部に限られてきた経緯がある。
用途
高電子移動度トランジスタのような高周波デバイスや半導体レーザー、量子ドットレーザー、太陽電池、赤外線撮像素子としても使用される[1][2][3]。
毒性
発ガン性が指摘されている。
参考文献
- Drexler, H., et al. "Spectroscopy of quantum levels in charge-tunable InGaAs quantum dots." Physical review letters 73.16 (1994): 2252.
- Bimberg, D., et al. "InGaAs-GaAs quantum-dot lasers." IEEE Journal of selected topics in quantum electronics 3.2 (1997): 196-205.
- Borri, Paola, et al. "Ultralong dephasing time in InGaAs quantum dots." Physical Review Letters 87.15 (2001): 157401.
関連項目
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「ヒ化インジウムガリウム」の続きの解説一覧
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