出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/07/18 03:29 UTC 版)
ヒ化ガリウム(GaAs)直接遷移の代表的な半導体であり、発光ダイオードやレーザーダイオードに利用されている。 窒化ガリウム(GaN) アンチモン化ガリウム(GaSb) リン化インジウム(InP) ヒ化インジウム(InAs) ヒ化インジウムガリウム(InGaAs) アンチモン化インジウム(InSb)
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