HBTの電気特性
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/06/13 15:31 UTC 版)
静特性については、通常ガンメルプロット (Gummel Plot) と呼ばれる方法による電流増幅率 (β) とベース層の抵抗率により評価される。ベース層の抵抗率が低くなると電流増幅率が低下するが、結晶性や構造の工夫により、できるだけ電流増幅率が高くなるような構造や材料系を選ぶことにより諸特性が改善すると考えられている。 SiGe系ではIBMによる研究が20年以上前から行われているが、Bi-CMOSプロセスに組み込まれるようになってからは集積化と高速化が進み、2005年の時点で0.13μmプロセス世代において遮断周波数において210GHzが達成されている。また、他の最高速動作事例としてはInP系では2007年時点でイリノイ大にてFmax=710GHz、UCSBから780GHzの記録などが報告されている。
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