広域X線吸収微細構造

ウィキペディア

広域X線吸収微細構造

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/01/10 05:06 UTC 版)

エックス線吸収スペクトルの例。横軸はエックス線のエネルギー（吸収端をゼロとする）、縦軸はエックス線の吸収量である。

広域X線吸収微細構造 (Extended X-ray Absorption Fine Structure) とはX線吸収スペクトルにおいて、吸収端から高エネルギー側に 1000eV 程度までの領域に見られる構造を呼ぶ。通常、EXAFS（イグザフス）と略される。

XANESよりも高いエネルギー領域では、励起された内殻電子がX線吸収原子から放出される（光電子）。放出された光電子は隣接する原子により散乱され（→散乱理論）、光電子とその散乱波との干渉により、内殻電子の励起確率、すなわちX線吸収係数が変化する。EXAFS領域における振動構造はこの効果による。

EXAFS基本公式

一回散乱（隣接する1つの原子による散乱）のEXAFSの基本公式を以下に示す。

$\chi (k)={\frac {\mu (E)-\mu _{0}(E)}{\mu _{0}(E_{0})}}=S_{0}^{2}\sum _{i=1}^{J}{\frac {F_{eff,i}(k)N_{i}}{kR_{i}^{2}}}\sin(2kR_{i}+2\delta _{l}(k))e^{-2k^{2}\sigma _{i}^{2}}$ この項目は、化学に関連した書きかけの項目です。この項目を加筆・訂正などしてくださる協力者を求めています（プロジェクト:化学／Portal:化学）。

ウィキペディア小見出し辞書

広域X線吸収微細構造 （EXAFS）

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2017/01/25 13:32 UTC 版)

「エックス線吸収微細構造」の記事における「広域X線吸収微細構造 （EXAFS）」の解説

詳細は「広域X線吸収微細構造」を参照 XANES 領域よりも高エネルギー側で、吸収端から 1000eV 程度までの領域に見られる構造を広域X線吸収微細構造 (Extended X-ray Absorption Fine Structure) と呼ぶ。通常、EXAFS（イグザフス）と略される。 XANESよりも高いエネルギー領域では、励起された内殻電子がX線吸収原子から放出される（光電子）。放出された光電子は隣接する原子により散乱され（→散乱理論）、光電子とその散乱波との干渉により、内殻電子の励起確率、すなわちX線吸収係数が変化する。EXAFS領域における振動構造はこの効果による。