ハーバート・クレーマー
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2025/06/09 00:34 UTC 版)
|
Herbert Krömer
Herbert Kroemerハーバート・クレーマー |
|
|---|---|
ハーバート・クレーマー(2008)
|
|
| 生誕 | 1928年8月25日 ドイツ国 ヴァイマル |
| 死没 | 2024年3月8日（95歳没） |
| 居住 |  アメリカ合衆国 |
| 国籍 |  ドイツ |
| 研究分野 | 応用物理学 |
| 研究機関 | ヴァリアン・アソシエイツ コロラド大学ボルダー校 カリフォルニア大学サンタバーバラ校 |
| 出身校 | フリードリヒ・シラー大学イェーナ ゲオルク・アウグスト大学ゲッティンゲン |
| 主な受賞歴 | ノーベル物理学賞(2000) |
| プロジェクト:人物伝 | |
|
ハーバート・クレーマー（Herbert Kroemer、1928年8月25日 - 2024年3月8日）は、ドイツ出身の物理学者。カリフォルニア大学サンタバーバラ校の電子工学とコンピュータ工学の教授。ヴァイマル生まれ。
経歴
1952年に、当時の新型トランジスタにおける熱電子効果の論文によってドイツのゲッティンゲン大学で理論物理学の博士号を取得した。半導体の物理の研究をしている。
彼はドイツとアメリカの多くの研究室で研究を行い、1968年から1976年まではコロラド大学で電子工学を教えた。1976年にはUCSBの研究所に属し、当時主流だったシリコンの半導体ではなく、新しい化合物を使った半導体の研究を行った。全米技術アカデミーの会員であるクレーマーはいつも主流とは違う研究を好む。1950年代に彼はドリフトトランジスタを開発し、ヘテロ接合を採用した半導体がよりよいパフォーマンスを見せることを初めて指摘した。さらに有名なのは、1963年にいまや半導体レーザーの中心概念であるダブルのヘテロ接合のレーザーの概念を導入したことである。クレーマーは分子線エピタキシー法の草分けの一人であり、この技術を新しい物質に適用する実験を熱心に行っていた。
2000年、クレーマーとジョレス・アルフョーロフは、「高速エレクトロニクスおよび光エレクトロニクスに利用される半導体ヘテロ構造の開発」によりノーベル物理学賞を分け合った。
2024年3月8日に死去。95歳没[1]。
受賞歴
脚注
- ^ “Nobel Laureate Herb Kroemer, 1928-2024” (英語). UCSB College of Engineering (2024年3月12日). 2024年3月13日閲覧。
外部リンク
- Not Just Blue Sky
- Nobelprize.org page
- Personal Homepage USCB
- Freeview video Interview with Herbert Kroemer by the Vega Science Trust
- U.S. Patent 5067828 Transferred electron effective mass modulator (Herbert Kroemer)
- U.S. Patent 5013683 Method for growing tilted superlattices (Herbert Kroemer)
- Herb’s Bipolar Transistors IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 48, NO. 11, NOVEMBER 2001 PDF
- Influence of Mobility and Lifetime Variations on Drift-Field Effects in Silicon-Junction Devices PDF
- Heterostructure Bipolar Transistors and Integrated Circuits PDF
 ノーベル物理学賞受賞者 (1976年-2000年)
|
|
|---|---|
|
|
固有名詞の分類
- ハーバート・クレーマーのページへのリンク
