セレン化ビスマス(III)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/05/29 05:31 UTC 版)
セレン化ビスマス(III)（セレンかビスマス、英: Bismuth selenide）はビスマスのセレン化物で、化学式Bi2Se3で表される無機化合物。半導体や熱電材料として利用される[4]。化学量論的にはセレン化ビスマスは0.3eVのバンドギャップを持つ半導体であるが、天然由来のセレンは半金属の性質を持ち、ドーパントとして機能する[5]。トポロジカル絶縁体 (Topological insulator) としての性質も[6]今後の研究課題である[7]。
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- ^ USA (2011年10月21日). “Bismuth(III) selenide - PubChem Public Chemical Database”. Pubchem.ncbi.nlm.nih.gov. 2011年11月1日閲覧。
- ^ a b c “bismuth selenide | Bi2Se3”. ChemSpider. 2011年11月1日閲覧。
- ^ a b c d 化学物質等安全性データシート (PDF) （高純度化学研究所）
- ^ Mishra, S K; S Satpathy, O Jepsen (1997-01-13). “Electronic structure and thermoelectric properties of bismuth telluride and bismuth selenide”. Journal of Physics: Condensed Matter 9: 461–470. doi:10.1088/0953-8984/9/2/014. ISSN 0953-8984 2011年11月1日閲覧。. (Online) ISSN 1361-648X.
- ^ Hor, Y. S.; A. Richardella, P. Roushan, Y. Xia, J. G. Checkelsky, A. Yazdani, M. Z. Hasan, N. P. Ong, R. J. Cava (2009-05-21). “p-type Bi_{2}Se_{3} for topological insulator and low-temperature thermoelectric applications”. Physical Review B 79 (19): 195208. doi:10.1103/PhysRevB.79.195208 2011年11月1日閲覧。.
- ^ Hsieh, D.; Y. Xia, D. Qian, L. Wray, J. H. Dil, F. Meier, J. Osterwalder, L. Patthey, J. G. Checkelsky, N. P. Ong, A. V. Fedorov, H. Lin, A. Bansil, D. Grauer, Y. S. Hor, R. J. Cava, M. Z. Hasan (2009). “A tunable topological insulator in the spin helical Dirac transport regime”. [[Nature (journal )|]] 460 (7259): 1101–1105. doi:10.1038/nature08234. ISSN 0028-0836. PMID 19620959 2010年3月25日閲覧。.
- ^ Brumfield, Geoff (2010-07-14). “Topological insulators: Star material : Nature News”. Nature 466: 310–311. doi:10.1038/466310a. PMID 20631773 2010年8月6日閲覧。.
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