pn接合半導体の場合
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/11/03 14:19 UTC 版)
「光起電力効果」の記事における「pn接合半導体の場合」の解説
番号は右図のものに適用する。 p型とn型の半導体を接合すると、接合部付近では伝導電子と正孔がお互いに拡散して結びつく拡散電流が生じる。 伝導電子と正孔が打ち消し合った結果、接合部付近にこれらキャリアの少ない領域（空乏層）が形成される。また、伝導電子と正孔をそれぞれn型、p型領域へ引き戻そうとする内蔵電場（および内蔵電場に従ってキャリアが動くドリフト電流）が生まれる。 熱平衡状態においては、拡散電流とドリフト電流が釣り合い、フェルミ準位は一定となる。 ここで半導体の禁制帯幅よりも大きなエネルギーを持つ光をpn接合に照射し、接合領域に於いて価電子帯の電子が光を吸収すると、禁制帯を越えて励起されて伝導電子（光電子）となり、その跡には正孔が残る（内部光電効果）。この光電子の発生によってドリフト電流が増大し、熱平衡状態が崩れる。空乏層に形成されている内部電場によって、光電子はn型半導体に、正孔はp型半導体に移動し、起電力が発生する。この起電力を光起電力と言う。 ここでn型半導体・p型半導体に電極を取り付けると、それぞれ負極・正極となって直流電流を外部に取り出すことができる。
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