高ARの作成
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2017/05/26 03:19 UTC 版)
高AR（アスペクト・レシオ）の金属電極孔をシリコン層に埋め込むために種々の工夫が採用される。以下のような方法によって深い孔の底まで金属が満たされる。 中性原子のリフロー シリコン基板を200-400℃程度に暖めて、スパッタした銅原子を孔口付近に着いたものを再流動化（リフロー）によって孔の奥まで流そうというもの。 長距離スパッタ スパッタのターゲットと基板を離すことで、深い穴の底まで良く届く平行な角度を作る。 イオン化スパッタ 銅原子をイオン化して、基板のマイナス電位によって孔の底まで吸引させる。 窒素による孔口の潤滑層作成 アルゴンガス中に微量の窒素を入れて、孔口付近にN2による薄い潤滑層を形成させた後、銅原子や銅イオンを滑り込ませて孔の奥まで届ける。
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