中性原子のリフロー
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2017/05/26 03:19 UTC 版)
シリコン基板を200-400℃程度に暖めて、スパッタした銅原子を孔口付近に着いたものを再流動化(リフロー)によって孔の奥まで流そうというもの。
※この「中性原子のリフロー」の解説は、「Si貫通電極」の解説の一部です。
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シリコン基板を200-400℃程度に暖めて、スパッタした銅原子を孔口付近に着いたものを再流動化(リフロー)によって孔の奥まで流そうというもの。
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