分子線量のモニタリング法
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/10/19 08:06 UTC 版)
「分子線エピタキシー法」の記事における「分子線量のモニタリング法」の解説
分子線の量は供給源の制御だけでなく、実際の分子線量をモニタリングし、フィードバック制御をかける場合もある。このようなモニタリングには、下記のような手法が用いられる。 膜厚計 結晶膜厚計を用いて測定する。これは、容器内の原料のビームが当たる位置に設置された結晶に膜が付着することで結晶の共振振動数が変わるのを利用した方式である。これにより10−2nmオーダの膜厚を測定することができる。 光学的測定 製膜中の薄膜に光を当て、膜厚干渉等によって膜厚を測定する方法である。方式や測定条件にもよるが、数nm～数百nm単位での測定が可能である。 ビームフラックスモニタ イオンゲージなどを製膜位置近辺に配置し、分子線量を「圧力」として測定する方式である。イオン化収率を考慮する必要がある。 原子吸光 蒸発した原子や分子の吸収スペクトルに合わせた光を分子線に照射し、通過した光の強度変化から分子線量を測定する方法である。
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