Bipolar Transistor

デジタル大辞泉

バイポーラー‐トランジスター【bipolar transistor】

読み方：ばいぽーらーとらんじすたー

電荷を運ぶ担体として、正孔と電子を用いるトランジスター。p型半導体とn型半導体を、PNPまたはNPNの順序で接合する。双極性トランジスター。

そうきょくせい‐トランジスター〔サウキヨクセイ‐〕【双極性トランジスター】

読み方：そうきょくせいとらんじすたー

《bipolar transistor》⇒バイポーラトランジスター

IT用語辞典バイナリ

バイポーラトランジスタ

別名：接合型トランジスタ
【英】Bipolar Transistor

バイポーラトランジスタとは、トランジスタの一種で、半導体のpn接合によって構成されたトランジスタのことである。一般的に「トランジスタ」といえばバイポーラトランジスタを指していることも多い。

バイポーラトランジスタには3つの端子が付いており、それぞれベース、コレクタ、エミッタと呼ばれる。ベースに電流（ベース電流）を流し、電圧を加えると、コレクタにはベース電流の10倍～100倍程度の電流（コレクタ電流）が流れる。この性質を利用して電流を制御することができる。

バイポーラトランジスタは、電流の効率的な増幅が可能で、生産コストも安価に抑えることができる。そのため多様な用途において電子素子として利用されている。

バイポーラトランジスタはpn接合の構造によってnpn型とpnp型に分けられる。npn型とpnp型では電流の流れる方向が逆になる。

なお、バイポーラトランジスタは電子と正孔の2種類をキャリアとして持つため、バイ（2）の名がついている。これに対して電界効果トランジスタ（FET）は、電子か正孔のいずれか1種類だけを扱うので、ユニ（1）を意味する「ユニポーラトランジスタ」とも呼ばれている。

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参照リンク
半導体/電子デバイス物理 - （甲南大学理工学部）

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バイポーラトランジスタ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/05/30 20:57 UTC 版)

バイポーラジャンクショントランジスタ（英: Bipolar junction transistor; BJT）はトランジスタの一種である。日本ではバイポーラトランジスタ（英: Bipolar transistor）と呼ばれることが多い。N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持つ3端子の半導体素子であり、電流増幅およびスイッチングの機能を持つ。のちに登場した電界効果トランジスタ（FET）などのユニポーラトランジスタと異なり、正・負両極のキャリアをもつためバイポーラと呼ばれる。