絶縁ゲートバイポーラトランジスタとは?

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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2017/09/06 09:45 UTC 版)

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、: Insulated Gate Bipolar TransistorIGBT)は半導体素子のひとつで、MOSFETをベース部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。


  1. ^ Scharf, B.W.; Plummer, J.D. (1978). “SESSION XVI FAM 16.6 - A MOS-Controlled Triac Devices”. IEEE International Solid-State Circuits Conference. doi:10.1109/ISSCC.1978.1155837 
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