HBT

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ＨＢＴ

分子式：	C20H25NO
その他の名称：	HBT、N-[p-(Hexyloxy)benzylidene]-p-toluidine、N-(4-Hexyloxybenzylidene)-4-methylaniline
体系名：	N-[p-(ヘキシルオキシ)ベンジリデン]-p-トルイジン、N-(4-ヘキシルオキシベンジリデン)-4-メチルアニリン

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HBT

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/06/13 15:31 UTC 版)

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ (Heterojunction Bipolar Transistor) は、へテロ接合の隣りにベース構造を有するバイポーラジャンクショントランジスタ (BJT) のことで、英語の単語の頭文字をとってHBT（エイチビーティー）と呼ばれる。ヘテロ構造の効果により、バイポーラトランジスタに比べ、電流増幅率を落とさずに動作速度が向上することができ、最高で500GHz以上で動作する超高速トランジスタの構造の名称である。構造的にはベース層の片側のみをヘテロ構造にしたSHBTと両側をヘテロ接合にしたDHBTなどがある。