Shockley–Read–Hall(SRH)過程
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/09/06 14:46 UTC 版)
「キャリア生成と再結合」の記事における「Shockley–Read–Hall(SRH)過程」の解説
Shockley-Read-Hall再結合はトラップ支援再結合とも呼ばれる。電子はバンド間を遷移する際に、結晶中の不純物によってバンドギャップ中に作られるエネルギー状態（局在状態）を経由する。このようなエネルギー準位は深い準位と呼ばれる。局在状態はキャリア間の運動量の差を埋め合わすことができる。よってこの過程はシリコンなどの間接遷移型半導体で支配的である。また直接遷移型半導体でもキャリア密度が非常に低い場合は支配的である。キャリアのエネルギーは格子振動（フォノン）との間でやり取りされる。この過程の名前は、ウィリアム・ショックレー、ウィリアム・ソーントン・リード、ロバート・N・ホールに由来する。
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