高品質加工
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/05/08 05:45 UTC 版)
より表面欠陥密度の低い高品質のウエハーを求める要求に応じてさらに加工が行なわれ、エピタキシャル・ウエハー (Epitaxial wafer) とアニール・ウエハー (Annealed wafer) 、そして特殊な要求に応じたものとしてSOIウエハー (Semiconductor On Insulator wafer, Silicon On Insulator wafer) が作られる。これらの加工を行なわないものはポリッシュッド・ウエハー (Polished wafer, PW) と呼ばれる。 エピタキシャル・ウエハーはシリコン単結晶層を気相成長で数μm堆積したものである。この過程でボロンを10―19cm3程度添加するP+ウエハーがある。 アニール・ウエハーはアルゴン雰囲気中で1150 – 1200度程度に加熱して表面近くの酸素を追い出す。窒素を加えるアニールもある。
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