種類とその特徴
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/12/11 21:18 UTC 版)
現在広く使われているものはチャネル層に水素化アモルファスシリコン (a-Si:H: hydrogenated amorphous silicon) が使われているが、スレッショルド電圧が経過時間・ゲート電圧・温度により変化する不安定さが問題とされている。 これは バンドギャップ内に存在する不安定ステート (metastable state) 絶縁層内 境界ステート (interface state) に堆積された電子による影響 の3種類に大別される。 基本的にゲート印加電圧が低い場合の主因は1、電圧が高い場合は2と考えられ、3は通常無視される。 一部のメーカーにおいては一定時間の電圧と加熱により、ゲート印加電圧によって励起され不安定となったvalence band connectionをdangling bond (defect) として安定させることによって対策している。 また、a-Si:H以外にもさまざまな材料を使って薄膜トランジスタが作成されている。特に、バンドギャップの広い酸化物半導体などを用いた透明薄膜トランジスタ (transparent thin film transistor) や、有機半導体を用いた有機薄膜トランジスタなどが盛んに研究されている．
※この「種類とその特徴」の解説は、「薄膜トランジスタ」の解説の一部です。
「種類とその特徴」を含む「薄膜トランジスタ」の記事については、「薄膜トランジスタ」の概要を参照ください。
ウィキペディア小見出し辞書の「種類とその特徴」の項目はプログラムで機械的に意味や本文を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。
お問い合わせ。
- 種類とその特徴のページへのリンク
