広域X線吸収微細構造 （EXAFS）
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2017/01/25 13:32 UTC 版)
「エックス線吸収微細構造」の記事における「広域X線吸収微細構造 （EXAFS）」の解説
詳細は「広域X線吸収微細構造」を参照 XANES 領域よりも高エネルギー側で、吸収端から 1000eV 程度までの領域に見られる構造を広域X線吸収微細構造 (Extended X-ray Absorption Fine Structure) と呼ぶ。通常、EXAFS（イグザフス）と略される。 XANESよりも高いエネルギー領域では、励起された内殻電子がX線吸収原子から放出される（光電子）。放出された光電子は隣接する原子により散乱され（→散乱理論）、光電子とその散乱波との干渉により、内殻電子の励起確率、すなわちX線吸収係数が変化する。EXAFS領域における振動構造はこの効果による。
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