外部変調器
半導体レーザダイオードの駆動電流をON/OFFして光を点滅する直接変動方式では、2.5 Gbit/sのような高速で変調すると、レーザ光の波長が変動し（波長チャーピング：Dispersionの項参照）、伝送距離が制限される。一方、光の透過量を電気信号によって変化させることができる変調器に、一定光出力で動作させた半導体レーザの光を通すことによって変調を行う外部変調方式では、変調時の波長変動が小さく、直接変調に比べ長距離伝送が可能である。
外部変調器には、（1）LN（LiNbO3結晶）変調器、（2）電界吸収型（erectricabsorpsion：EA）変調器がある。
FLD5F6CX-HはLN変調器を使う送信モジュールの光源用のレーザダイオードとして製品化したものでLN変調器と組み合わせるため通常のシングルモードファイバに代えて偏波面保存ファイバ（PANDAファイバ）が付いている。FLD5F14CNはEA変調器と半導体レーザをモノリシックに集積化したもの。
→MI-DFBレーザダイオードの項参照
外部変調器には、（1）LN（LiNbO3結晶）変調器、（2）電界吸収型（erectricabsorpsion：EA）変調器がある。
FLD5F6CX-HはLN変調器を使う送信モジュールの光源用のレーザダイオードとして製品化したものでLN変調器と組み合わせるため通常のシングルモードファイバに代えて偏波面保存ファイバ（PANDAファイバ）が付いている。FLD5F14CNはEA変調器と半導体レーザをモノリシックに集積化したもの。
→MI-DFBレーザダイオードの項参照
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