吸収の強さ

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吸収の強さ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2018/12/27 02:14 UTC 版)

「電荷移動錯体」の記事における「吸収の強さ」の解説

電荷遷移吸収帯は紫外可視領域にあることが多い。無機錯体では、モル吸光係数εが約50000 L mol−1 cm−1にもなり、一般的なdd遷移（t2g軌道からeg軌道への遷移）のモル吸光係数（ε=20 L mol−1 cm−1以下）の千倍以上にもなる。これは電荷移動遷移がスピン許容かつラポルテ許容だからである。一方d-d遷移はスピン許容である場合があるが、常にラポルテ禁制である。