再配線型
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/09/28 23:37 UTC 版)
「ウエハーレベルCSP」の記事における「再配線型」の解説
プロセス処理（前工程）を終えたウエハーの半導体回路表面の端子パッドは、パッシベーション層の開口部を通して開放されている。通常のパッケージではダイシングされることでベアチップになってからサブストレートなどの上でボンディングによって接続されるが、ウエハーレベルCSPではダイシング前に接続構造がダイの上に構築される。回路表面の端子パッドにアルミニウムの再配線層を形成し、再配線層上の接続部を残して封止樹脂で表面を封止する。接続部に半球状のはんだバンプ等を付ける。
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