エピジェネティック修飾
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/11/14 02:45 UTC 版)
「メモリーT細胞」の記事における「エピジェネティック修飾」の解説
エピジェネティック修飾（英: epigenetic modification）は、ナイーブT細胞からの変化に関与している。たとえば、CD4+メモリーT細胞では、陽性ヒストン修飾は、IFNγ（英語版）、IL4、IL17A（英語版）などの二次免疫応答中にアップレギュレート（上方制御）される重要なサイトカイン遺伝子をマークしている。これらの修飾のいくつかは、抗原クリアランス後も持続し、抗原との再遭遇時により迅速な活性化を可能にするエピジェネティックメモリーを確立する。CD8+メモリーT細胞では、IFNγのような特定のエフェクター遺伝子は発現しないが、活性化時に迅速に発現するように転写されている。さらに、特定の遺伝子の発現の増強は、メモリーT細胞の子孫に対する初期TCRシグナル伝達の強度にも依存しており、これは遺伝子発現レベルを直接変化させる調節エレメントの活性化と相関している。
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