出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/03/26 23:17 UTC 版)
「共鳴トンネルダイオード」の記事における「負性抵抗領域」の解説
さらにバイアス電圧を高めると、量子井戸中の第一準位はエネルギー的に低くなっていき、バンドギャップ領域へと入っていくため、電流は減少する。この段階ではまだ、量子井戸中の第二準位はエネルギーが高すぎて伝導に寄与しない。
※この「負性抵抗領域」の解説は、「共鳴トンネルダイオード」の解説の一部です。
「負性抵抗領域」を含む「共鳴トンネルダイオード」の記事については、「共鳴トンネルダイオード」の概要を参照ください。
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