等温残留磁化とは? わかりやすく解説

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とうおん‐ざんりゅうじか〔トウヲンザンリウジクワ〕【等温残留磁化】

読み方:とうおんざんりゅうじか

落雷などによって温度変化無し獲得する残留磁化等温残留磁気


等温残留磁化

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2018/08/13 15:03 UTC 版)

ストナー-ヴォールファールト模型」の記事における「等温残留磁化」の解説

図5は等方的な系における残留磁化計算結果表している。ここでは系は多く理想的な粒をランダムな方向置いたものを考える。等温残留磁化は消磁されたサンプルから始めて徐々に磁場印加することで得ることができる。曲線mir(h) は規格化残留磁化磁場関数として表したのである。h = 0.5 までは値に変化起こらないが、これは反転磁場0.5よりも大きいためである。この大きさ磁場までは磁化の変化可逆である。磁化はh = 1に至って飽和する。この磁場反転磁場取りうる最大の値である。 残る2つ残留磁化飽和磁化減磁に関するのである。そのためどちらの曲線規格化され単位で1のところから始まる。これらの場合磁場0.5達するまで値に変化起こらないmdc が0になるところの磁場の値は保磁力呼ばれるランダムに配向した理想粒のヒステリシスのパラメータパラメータ理論M r s / M s {\displaystyle M_{rs}/M_{s}} 0.5 {\displaystyle 0.5} H c / 2 K u {\displaystyle H_{c}/2K_{u}} 0.479 {\displaystyle 0.479} H c r / 2 K u {\displaystyle H_{cr}/2K_{u}} 0.524 {\displaystyle 0.524} χ 0 / 2 K u {\displaystyle \chi _{0}/2K_{u}} 2 / 3 {\displaystyle 2/3} H c r / H c {\displaystyle H_{cr}/H_{c}} 1.09 {\displaystyle 1.09} 右表はこの計算に基づく磁気ヒステリシスパラメータ値をまとめたものであるこれまで用いた規格化され物性値通常の観測値比べられる値に戻すことができる。パラメータHcr保磁力、χ0は初磁化率消磁されたサンプル磁化率)である。

※この「等温残留磁化」の解説は、「ストナー-ヴォールファールト模型」の解説の一部です。
「等温残留磁化」を含む「ストナー-ヴォールファールト模型」の記事については、「ストナー-ヴォールファールト模型」の概要を参照ください。

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