出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2017/07/04 14:08 UTC 版)
IGBTの設計は今なお開発中で電圧が高まりつつある。高出力帯ではMOS制御式サイリスタは確約された素子である。主要な改良は通常のMOSFETの構造を踏襲している。
※この「構造の改良」の解説は、「電力用半導体素子」の解説の一部です。
「構造の改良」を含む「電力用半導体素子」の記事については、「電力用半導体素子」の概要を参照ください。
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