出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/11/06 05:55 UTC 版)
「半導体素子」の記事における「合金接合形（アロイ形）」の解説
ゲルマニウムトランジスタ全盛期に一般的だった製法である。ゲルマニウムの薄いN型単結晶を、アクセプタとなるインジウム等の金属粒で両面から挟んで熱接合し、合金部分から拡散したアクセプタによってPNP構造を形成したもの。（NPN型もあったが、Siトランジスタでは使われなかったと思われる） ドリフトトランジスタ 表面障壁形 マイクロアロイ形 マイクロアロイ拡散形
※この「合金接合形（アロイ形）」の解説は、「半導体素子」の解説の一部です。
「合金接合形（アロイ形）」を含む「半導体素子」の記事については、「半導体素子」の概要を参照ください。
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